nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

消息稱(chēng)三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 結(jié)構(gòu)

10 月 29 日消息，《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲(chǔ)路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過(guò) 400，而預(yù)計(jì)于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。三星目前最先進(jìn)的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級(jí)）DRAM。報(bào)道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因?yàn)檫@代產(chǎn)品將調(diào)
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TrendForce：預(yù)計(jì) Q4 NAND Flash 合約價(jià)將下調(diào) 3% 至 8%

IT之家?10 月 15 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新調(diào)查，NAND Flash 產(chǎn)品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價(jià)于第三季率先下跌，預(yù)期第四季跌幅將擴(kuò)大至 10% 以上。IT之家注意到，模組產(chǎn)品部分，除了 Enterprise SSD 因訂單動(dòng)能支撐，有望于第四季小漲 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因買(mǎi)家的終端產(chǎn)品銷(xiāo)售不如預(yù)期，采購(gòu)策略更加保守。TrendForce 預(yù)估，第四季 NAND Flash 產(chǎn)品整體合約價(jià)將出現(xiàn)季減 3% 至
關(guān)鍵字： NAND 閃存存儲(chǔ) 市場(chǎng)分析

三星電子開(kāi)發(fā)出其首款基于第八代V-NAND的車(chē)載SSD

三星電子今日宣布成功開(kāi)發(fā)其首款基于第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車(chē)載SSD。三星新款A(yù)M9C1車(chē)載SSD憑借行業(yè)前沿的速度和更高的可靠性，成為適配車(chē)載應(yīng)用端側(cè)人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車(chē)載SSD相比前代產(chǎn)品AM991，能效提高約50%，順序讀寫(xiě)速度分別高達(dá)4,400MB/s和400MB/s。三星半導(dǎo)體基于第八代V-NAND技術(shù)的車(chē)載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲(chǔ)器事業(yè)部汽車(chē)業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Hyunduk Cho表示：“我們正在與全球自動(dòng)駕駛汽車(chē)廠商合作，為這些企業(yè)提
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三星首款！第八代V-NAND車(chē)載SSD發(fā)布：讀取4400MB/s

9月24日消息，今日，三星電子宣布成功開(kāi)發(fā)其首款基于第八代V-NAND 技術(shù)的PCIe 4.0車(chē)載SSD——AM9C1。相比前代產(chǎn)品AM991，AM9C1能效提高約50%，順序讀寫(xiě)速度分別高達(dá)4400MB/s和400MB/s。三星表示，AM9C1能滿足汽車(chē)半導(dǎo)體質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q1003的2級(jí)溫度測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內(nèi)能保持穩(wěn)定運(yùn)行。據(jù)介紹，AM9C1采用三星5nm主控，用戶可將TLC狀態(tài)切換至SLC模式，以此大幅提升讀寫(xiě)速度。其中，讀取速度高達(dá)4700MB/s，寫(xiě)入速度高達(dá)1
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2024二季度NAND Flash出貨增長(zhǎng)放緩，AI SSD推動(dòng)營(yíng)收季增14%

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，由于Server（服務(wù)器）終端庫(kù)存調(diào)整接近尾聲，加上AI推動(dòng)了大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求，2024年第二季NAND Flash（閃存）價(jià)格持續(xù)上漲，但因?yàn)镻C和智能手機(jī)廠商庫(kù)存偏高，導(dǎo)致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%，平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲了15%，總營(yíng)收達(dá)167.96億美元，較前一季增長(zhǎng)了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應(yīng)商已恢復(fù)盈利狀態(tài)，并計(jì)劃在第三季擴(kuò)大產(chǎn)能，以滿足AI和服務(wù)器的強(qiáng)勁需求，但由于PC和智能手機(jī)今年上半年市場(chǎng)表現(xiàn)不佳，
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TrendForce：今年 Q2 NAND 閃存出貨增長(zhǎng)放緩，AI SSD 推動(dòng)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng) 14%

IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報(bào)告指出，由于服務(wù)器終端庫(kù)存調(diào)整接近尾聲，加上 AI 推動(dòng)了大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價(jià)格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機(jī)廠商庫(kù)存偏高，導(dǎo)致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%，平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲了 15%，總營(yíng)收達(dá) 167.96 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng) 14.2%。各廠商營(yíng)收情況如下：三星：第二季時(shí)積極回應(yīng)客戶對(duì)
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第八代BiCS FLASH厲害在哪里？

第八代BiCS FLASH已然投入量產(chǎn)，意味著基于BiCS FLASH的產(chǎn)品也將得到新一輪升級(jí)。全新的BiCS FLASH無(wú)論在存儲(chǔ)密度、性能都有了顯著提升，特別是2Tb QLC NAND是當(dāng)下業(yè)界內(nèi)最大容量的存儲(chǔ)器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲(chǔ)限制，鎧俠通過(guò)專(zhuān)有工藝和創(chuàng)新架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)芯片的縱向和橫向縮放平衡，所開(kāi)發(fā)的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲(chǔ)陣列）和3.6Gbps接口速度，給AI應(yīng)用、數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)設(shè)備提供了更多潛在可能。技
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消息稱(chēng)三星電子確認(rèn)平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線投資，目標(biāo)明年 6 月投運(yùn)

IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱(chēng)，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計(jì)劃，該產(chǎn)線目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營(yíng)。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級(jí)內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式
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1000層3D NAND Flash時(shí)代即將到來(lái)

Lam Research 推出低溫蝕刻新技術(shù)，為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
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存儲(chǔ)亮劍！NAND技術(shù)多點(diǎn)突破

人工智能（AI）市場(chǎng)持續(xù)火熱，新興應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)芯片DRAM和NAND需求飆升的同時(shí)，也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲(chǔ)會(huì)議FMS 2024（the Future of Memory and Storage）舉行，諸多存儲(chǔ)領(lǐng)域議題與前沿技術(shù)悉數(shù)亮相。其中TrendForce集邦咨詢四位資深分析師針對(duì)HBM、NAND、服務(wù)器等議題展開(kāi)了深度討論，廓清存儲(chǔ)行業(yè)未來(lái)發(fā)展方向。此外，大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，NVM Express組織在會(huì)中發(fā)布了 NVMe 2.1 規(guī)范，進(jìn)一步統(tǒng)一存儲(chǔ)架構(gòu)、簡(jiǎn)化開(kāi)發(fā)流程。另外包括Kioxia
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為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0

IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團(tuán) Lam Research 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團(tuán)全球產(chǎn)品部高級(jí)副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實(shí)現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬(wàn)片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項(xiàng)突破。它能以埃米級(jí)精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱(chēng)，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開(kāi)發(fā)，計(jì)劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備，2026 年二季度正式啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱(chēng)這一顆粒計(jì)劃于 2025 上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?！?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說(shuō)法，SK 海力士未來(lái)兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
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消息稱(chēng) SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 業(yè)務(wù)子公司 Solidigm 在美 IPO

IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》（Hankyung）與 Blocks & Files 報(bào)道，SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 閃存與固態(tài)硬盤(pán)子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購(gòu)英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務(wù)，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購(gòu)第一階段后成立的獨(dú)立美國(guó)子公司。▲ Solidigm D5-P5336，E1.L 規(guī)格，61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響，Sol
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)再度“亮劍”，在美國(guó)起訴美光侵犯其 11 項(xiàng)專(zhuān)利

IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道，中國(guó) 3D NAND 閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，日前再次將美光告上法院，在美國(guó)加州北區(qū)指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 11 項(xiàng)專(zhuān)利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長(zhǎng)江存儲(chǔ)還要求法院命令美光停止在美國(guó)銷(xiāo)售侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，并支付專(zhuān)利使用費(fèi)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控稱(chēng)，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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為什么QLC可能是NAND閃存的絕唱？

NAND 閃存已經(jīng)達(dá)到了一定的密度極限，無(wú)法再進(jìn)一步擴(kuò)展。
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]